IT之家9月28日消息，ASML首席技术官MartinvandenBrink日前接受Bits&Chips的采访时表示，目前公司正有序推行其路线图，在EUV之后是High-NAEUV技术。ASML正在准备向客户交付首台High-NAEUV光刻机，大概会在明年某个时间点完成，Martin相信这个目标会实现，尽管供应链问题仍然可能会扰乱这一计划。

IT之家了解到，NA(NumericalAperture)被称作数值孔径，是光学镜头的一个重要指标，一般光刻机设备都会明确标注该指标的数值。在光源波长不变的情况下，NA的大小直接决定和光刻机的实际分辨率，也等于决定了光刻机能够达到的最高的工艺节点。High-NAEUV是下一代光刻设备，与现有的EUV光刻设备相比，可以雕刻出更精细的电路，其被认为是一个改变游戏规则的设备，将决定3纳米以下代工市场技术竞赛的赢家。

VandenBrink说，到目前为止，开发高High-NA技术的最大挑战是为EUV光学器件构建计量工具。High-NA镜的尺寸是其前身的两倍，需要在20皮米范围内保持平整。这需要在一个大到“可以容纳半个公司”的真空容器中进行验证，该容器位于蔡司公司。

High-NAEUV光刻机会比现有的EUV光刻机更为耗电，从1.5兆瓦增加到2兆瓦。主要原因是因为光源，High-NA使用了相同的光源需要额外0.5兆瓦，ASML还使用水冷铜线为其供电。

至于High-NAEUV技术之后的技术方案，Martin表示，ASML正在研究降低波长，但他个人不认为Hyper-NA是可行的，他们正在对其进行研究，但这并不意味着它将投入生产。Martin怀疑High-NA将是最后一个NA，当前半导体光刻技术之路或已走到尽头。

High-NAEUV系统将提供0.55数值孔径，与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征。到了Hyper-NA系统，会高于0.7，甚至达到0.75，理论上是可以做到的。从技术方面来讲，也可以做到。但如果hyper-NA的成本像High-NA那样快速增长，那么它在经济上将几乎是不可行的。因此，Hyper-NA研究项目的主要目标是提出聪明的解决方案，使该技术在成本和可制造性方面保持可控。